这两周一直在测试AT24C512，之前用的EEPROM是AT24C16，与其相比，AT24C512有一些改动：
1，寻址空间变大，数据地址由8位变为16位，因此写入时序需要加入高、低位地址写入;
2，C16是单地址操作，不能并联使用，C512有两位地址位，因此需要写入器件地址；
3，还有就是C16是铁电，而C512是EEPROM，这点儿改动，让我苦不堪言…….
迄今为止，已经发现的各类问题有：
1，写入等待问题。EEPROM的写入速度极慢（毫秒级），这就要求MCU在写入字节时需要进行等待，于是就产生了各种问题。首先是延迟太少的话造成写入不完全，我第一次测试时写入19个字符，开始能成功写入3个，后来6个，随着时间增加，变为16个，但是再增加延迟已经不再起作用，因为已经影响到中断的正常运行了。后来改为读取写入后的返回码，读取不成功时执行while循环，发现总是堵死在写入过程中。
2，第五字符写入错误。每次写入一个字符串时，第五个字符总被写为 “C0” ，具体原因还不清楚。无论是写入五个字符还是十个字符，第五个总会变为 “C0”。
3，字符串写入不完全。每次字符串写入不完全，最后总会少那么一两个，添加了较长时间的延迟也无法解决。
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